タイトルまたは説明

MAIN FEATURES
· Double chip design with Bipolar Junction Transistor (BJT) to save cost.
· Large scale MOS digital circuit design with E class BJT driving, so that to enhance its High Voltage Resistance capability.
· Self-power supply circuit design, no need to additional IC to supply for electricity as to reduce component and cost
· Internal integrated constant high voltage current driving circuit, no need for additional resistance.
· Over current, Over loading, Over temperature, Over voltage, Output short circuit and photo-coupler Failure Protection.
· Internal Ramp Compensation circuit to keep the stability of the circuit in low voltage and high power condition.
· Internal PMW oscillation circuit with Frequency jittering control to keep EMC characteristics.
· Internal Frequency Conversion. Frequency-down in low load condition, comply with the Europe Standard (stand power<0.3W), also reduce the output voltage ripple.
· Ramp current drive circuit included to reduce IC power loss and raise circuit efficiency.
· 4KV Anti-Static ESD test.
APPLICATIONS
·AC/DC power adapters                  
·DVD/VCD/DVB power supply
·Air conditioner power supply              
·Electromagnetic oven power supply
·LED driver applications
· TV/Monitor power supply
· Household electrical appliance
· Mobile phone / battery charger
POWER RANGE