离岸价格
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China
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Ge
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連絡先担当者 Mr. walliam
pudong, shanghai, shanghai
Dia 2inch 4inch
Grade Prime/test
Growth Method CZ/VGF
Conductivity Type P/N
Dopant N type: Sb,
P
type:In/Ga
Resistivity: 0.*5 ~ 1ohm-cm , 1 ~ *0 ohm-cm
thickness: customization
Crystal orientation: <**0> <**1> <**0>
surface: single/double side polished
no scratch, no saw mark, no chip, no stain
packing Aluminum foil vacuum
packing
particle *@********************
| 国: | China |
| モデル番号: | Ge |
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