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製品仕様

  • Monocrystalline silicon ingots:solar ingots

タイトルまたは説明

# Parameter Unit Parameter value
1 Method of growing                                               Chohralsky
2 Diameter                                                                   mm **0±1
3 Ingot’s length                                                          mm ******0
4 Conductivity type, dopant                                                  p boron
5 Orientation of crystallographic ingot’s axis       <**0>
6 Off-orientation of geometric ingot’s axis, not more      Grado ±3
7 Specific resistance (R) Ohm•cm                         0,**3,0
8 Concentration of optically active oxygen, not more Cm*3 1•***8
9 Carbon concentration, not more Cm*3                  1 • ***7
*0 Life time, not less microsecond                          *0
*1 Other requirements to ingots Absence of chips and quebrazas on the ingot’s surface in the size not more than 3 mm, cracks
 

国: Russia
モデル番号: p-type, R>0.5
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