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P-cap AlGaN/GaN-on-Si Epi wafer supplier 4 inch  6inch
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P-cap AlGaN/GaN-on-Si Epi wafer supplier 4 inch 6inch

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LiSheng Industrial Building,60 Suli Road, Soochow, Jiangsu

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製品仕様

  • diameter:150mm

タイトルまたは説明

P-cap AlGaN/GaN-on-Si Epi wafer supplier 4 inch  6inch 
 

HMT has complete production line of **0/**0/**0mm GaN Epi Wafer products, including GaN-on-Si, GaN-on-SiC epi wafer and GaN-on-Sapphire epitaxy wafers.  We have complete and independent supporting system, including epi growth,clean,test and maintain equipments. Using gallium nitride (GaN) HEMT epiwafer brings various benefits for the next generation high frequency and high power devices. GaN devices can achieve very high power efficiency, which accordingly reduces their size and lower power consumption, consequently that of their final products.

 

国: China
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Mr. Kim < Homray Material Technology Co., Ltd >

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