タイトルまたは説明

 Main features

Low-power, high-performance *-bit CMOS process manufacturing, operating voltage (VDD = 1.8 to 3.6V)

Low-power ultra-small quiescent current (3V less than 1uA)

Built-in crystal oscillator (4MHz *1%), with Warming and pressure fill characteristics. These features ensure within the vibration can replace expensive external crystal, but also provides better electrical and temperature characteristics;

The MTP process: chip can switch to a different program up to ****0 times repeated burning, soldering peripheral devices and then burn.

Carrier frequency: *8KHZ *0KHZ *6KHZ and any programmable carrier

Temperature range: **0 ° C to **5 ° C

Built-in high-power transistor: Launch distance: *-degree angle> *5 m; **-degree angle> 8 m

With watchdog WDT anti-crash design, enhanced reliability

With flexible interrupt handling

With a remote shell, can be used the same piece of PCB board, do a variety of products.